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IPD25CN10N G /
IPD25CN10N G的规格信息
IPD25CN10N G的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

封装/外壳:PG-TO252-3

安装风格:SMD/SMT

通道数量:1Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:100V

Id-连续漏极电流:35A

Rds On-漏源导通电阻:19mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2V

Vgs - 栅极-源极电压:20V

Qg-栅极电荷:31nC

最小工作温度:-55C

最大工作温度:+175C

配置:Single

Pd-功率耗散:71W

通道模式:Enhancement

高度:2.3mm

长度:6.5mm

系列:OptiMOS2

晶体管类型:1N-Channel

宽度:6.22mm

正向跨导 - 最小值:19S

下降时间:3ns

上升时间:4ns

典型关闭延迟时间:13ns

典型接通延迟时间:10ns

Packing Type:TAPE & REEL

Moisture Level:1

RDS (on) max:25.0mΩ

IDpuls max:140.0A

VDS max:100.0V

ID max:35.0A

Package:DPAK (TO-252)

Rth:2.1K/W

QG:23.0nC

Budgetary Price €€/1k:0.37

Ptot max:71.0W

Polarity:N

Mounting:SMT

Coss:232.0pF

Ciss:1560.0pF

VGS(th) min max:2.0V 4.0V

无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs

供应商IPD25CN10N G
IPD25CN10N G的供应商,可免费索样
供应商型号地址联系电话联系人在线联系询价
现代芯城(深圳)科技有限公司IPD25CN10N Gwww.nowchip.com0755-27381274
18098996457
董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市芯幂科技有限公司IPD25CN10N G深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
现代芯城(深圳)科技有限公司IPD25CN10N G深圳市福田区八卦三路八卦岭工业区424栋4楼410房0755-82542579
19924492152
董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市鑫晟源电子科技有限公司IPD25CN10N G深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1006号航都大厦19层C实-单-专-线V+18938047708
18938047708/18938048779
林炜东,林俊源Email:3004003952@qq.com询价
深圳市博浩通科技有限公司IPD25CN10N G华强北宝华大厦A座8080755-82811430,0755-82818091
15989349634,13798567707
朱丽娜skype:bhtkj@hotmail.comEmail:bob@bhtkj.com询价
集好芯城IPD25CN10N G深圳市福田区航都大厦25F4008626627
13360071553
陈泽辉Email:sam@678ic.com询价
集好芯城IPD25CN10N G深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-82564006
18188616613
郑小姐Email:sam@678ic.com询价
深圳和润天下电子科技有限公司IPD25CN10N G深港合作区前湾一路1号A栋201室13378422395,19129491930蔡经理,张小姐Email:1139848500@qq.com询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司IPD25CN10N G深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
13725570869
朱小姐Email:szyctdz@163.com询价
深圳市坤融电子有限公司IPD25CN10N G航都大厦10I0755-23990975
13926529829,17318082080
肖瑶,树平Email:hzk@krchips.com询价
芯莱德电子(香港)有限公司IPD25CN10N G深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419,19076157484
杨先生Email:2881915365@qq.com询价
深圳市宇浩扬科技有限公司IPD25CN10N G深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
13826514222
余先生,张先生Email:grady4222@126.com询价
深圳市赛美科科技有限公司IPD25CN10N G广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A5950755-28309323
13480875861
雷小姐,微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话Email:2053086415@qq.com询价
深圳市亿鸿丰电子科技有限公司IPD25CN10N G深圳市福田区华富路1046-1号华康大厦2栋2楼2100755-83230201
19147724283,19147721680
王小姐,刘先生Email:345720093@qq.com询价
深圳市河锋鑫科技有限公司IPD25CN10N G华强北现代之窗A 9D0755-23903154
13430590551
杨晓芳Email:305739080@qq.com询价
深圳市辰芯伟业科技有限公司IPD25CN10N G华强北路新华强广场B座27D0755-83238360
13603072128
Email:517368904@QQ.COM询价
深圳市全秀电子有限公司IPD25CN10N G东久创新科技园6栋12楼整层13129599479
13129599479
刘群Email:13129599479@163.com询价
深圳市安富世纪电子有限公司IPD25CN10N G深圳市福田区中航路都会轩24060755-82573210
18124040553
杨丹妮Email:2881358670@qq.com询价
深圳市凌特半导体科技有限公司IPD25CN10N G广东省深圳市华康大夏2栋210-219室0755-82714723
13923432237
谢先生Email:3003989381@qq.com询价
深圳市斌腾达科技有限公司IPD25CN10N G深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
13049883113
赵小姐Email:zhujunbin163@163.com询价
IPD25CN10N G及相关型号的PDF资料
型号功能描述生产厂商厂商LOGOPDF大小PDF页数下载地址相关型号
IPD25CN10N G连续漏极电流(Id)(25°C 时):35A(Tc) 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:4V @ 39uA 漏源导通电阻:25mΩ @ 35A, 10V 最大功率耗散(Ta=25°C):71W(Tc) 类型:N沟道Infineon(英飞凌)Infineon(英飞凌)的LOGO1.8 Mbytes共12页IPD25CN10N G的PDF下载地址
IPD25CN10N G的全球分销商及价格
销售商型号制造商功能描述价格
元器件资料网-Arrow(艾睿)的LOGO
Arrow(艾睿)
IPD25CN10N GInfineonFET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET OptiMOS 2 PWR TRANST 100V 35A1+:¥9.17
10+:¥8.11
25+:¥7.3301
100+:¥6.41
250+:¥5.62
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12500+:¥3.585+:¥4.54
10+:¥3.79
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元器件资料网-ChipOneStop的LOGO
ChipOneStop
IPD25CN10N GInfineonFET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET OptiMOS 2 PWR TRANST 100V 35A1+:¥9.17
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10+:¥3.79
50+:¥3.6
100+:¥3.36
200+:¥3.21
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子
IPD25CN10N GInfineonFET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET OptiMOS 2 PWR TRANST 100V 35A1+:¥9.17
10+:¥8.11
25+:¥7.3301
100+:¥6.41
250+:¥5.62
500+:¥4.98
1000+:¥3.94
元器件资料网-element14 e络盟电子的LOGO
element14 e络盟电子
IPD25CN10N GInfineonFET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET OptiMOS 2 PWR TRANST 100V 35A1+:¥9.17
10+:¥8.11
25+:¥7.3301
100+:¥6.41
250+:¥5.62
500+:¥4.98
1000+:¥3.941+:¥8.08
10+:¥6.49
100+:¥4.9901
500+:¥4.41
1000+:¥3.77
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10000+:¥3.37
25000+:¥3.27
50000+:¥3.191+:¥8.99
10+:¥8.04
100+:¥7.16
250+:¥6.3699
500+:¥5.57
1000+:¥4.93
2500+:¥4.46
7500+:¥3.81
12500+:¥3.58
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子
IPD25CN10N GInfineonFET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET OptiMOS 2 PWR TRANST 100V 35A1+:¥9.17
10+:¥8.11
25+:¥7.3301
100+:¥6.41
250+:¥5.62
500+:¥4.98
1000+:¥3.941+:¥8.08
10+:¥6.49
100+:¥4.9901
500+:¥4.41
1000+:¥3.77
2500+:¥3.46
10000+:¥3.37
25000+:¥3.27
50000+:¥3.19
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立创商城
IPD25CN10N GInfineon(英飞凌)连续漏极电流(Id)(25°C 时):35A(Tc) 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:4V @ 39uA 漏源导通电阻:25mΩ @ 35A, 10V 最大功率耗散(Ta=25°C):71W(Tc) 类型:N沟道1+:¥6.78
200+:¥2.63
500+:¥2.53
1000+:¥2.49